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DRAM市场或首现衰退 三星/SK海力士将大规模投资研发
编辑:AGASTYA TECHNOLOGIES PTE LTD 雅佳斯达   时间:2016-06-25

    从2013年以来持续成长的DRAM市场,2016年展望值首度出现衰退。为突破半导体市场的不景气,三星电子(Samsung Electronics)致力升级微细制程技术;SK海力士(SK Hynix)则准备以史上最大规模的投资计划应战。


  韩国半导体业界自年初就弥漫紧张感,DRAM价格持续下跌,搭载DRAM的PC、智能型手机、平板电脑等市场需求也在萎缩。从2013~2015年一直维持成长的存储器市场,2016年展望值首度出现衰退。三星、SK海力士借着技术研发与大胆投资,试图突破市场困境。


  据韩国经济报导,三星致力升级微细制程技术,日前宣布应用14纳米第二代鳍式场效晶体管(FinFET)制程的移动系统单芯片(SoC)开始量产。14纳米第二代FinFET制程比第一代耗电量节省15%,性能提升15%。


  三 星在2015年1月率先业界,量产应用14纳米FinFET制程的Exynos 7 Octa;2016年以第二代FinFET制程同时量产Exynos 8 Octa与高通(Qualcomm)Snapdragon 820等代工产品。第二代制程产品预定将搭载于2016年3月上市的Galaxy S7(暂称)。


  无论在资料处理速度或性能上,三星制程水准都在业界名列前茅,而借着这次量产的机会,三星代工事业收益性可望更上一层楼。


  另一方面,SK海力士2016年则将执行史上最大规模,上看6.5兆韩元(约53.5亿美元)的投资计划。由于2015年投资规模为6.4兆韩元,因此根据估计2016年投资至少增加1,000亿韩元,约6.5兆韩元。


  SK海力士相关人士表示,经营条件虽然困难,为了奠定未来的成长基础,仍然必须抢先投资。


  SK海力士2013年起就持续扩大设备投资,以拓展竞争力。2013年投资3.6兆韩元、2014年5.2兆韩元,2015年京畿道利川M14厂竣工,完成量产系统的整顿。SK海力士2014年的营业利益首度突破5兆韩元的纪录,也被业界归功于大胆投资带来的效果。


  2016 年SK海力士的投资重点将放在开发技术、强化成本竞争力与建构相关基础设施等方面。除了致力于10纳米级DRAM、3D NAND Flash的开发与量产,同时也会持续在韩国利川与清州地区进行兴建新厂的投资。已知SK海力士曾在2015年8月宣布,后续将投入46兆韩元建设M14 等3间新厂。


  韩国半导体产业协会常务安基贤(译名)表示,连大陆都跨足存储器半导体市场,让韩国业界充满危机感,现在强化技术并透过投资维持竞争力,比任何时候都更为重要。


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